（一）總體思路

　　進(jìn)一步加大電子陶瓷材料及相關(guān)元器件的研發(fā)投入，重點(diǎn)突破電子陶瓷高端材料、先進(jìn)加工工藝技術(shù)和裝備關(guān)鍵技術(shù)，加速電子陶瓷材料與元器件全產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)化和自主創(chuàng)新，形成相關(guān)技術(shù)的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)；完善電子陶瓷材料成果產(chǎn)業(yè)化的機(jī)制，建立具有國(guó)際先進(jìn)水平的電子陶瓷材料研發(fā)系統(tǒng)和生產(chǎn)基地，以及國(guó)際一流的元器件工藝制造基地。使我國(guó)在超薄型賤金屬內(nèi)電*MLCC及其鐵電陶瓷材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、低溫?zé)Y(jié)高性能片式電感器（MLCI）及其鐵氧體材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、高性能壓電陶瓷及其新型元器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、高儲(chǔ)能密度介電陶瓷材料及其工程化制備技術(shù)、微波介質(zhì)陶瓷產(chǎn)業(yè)化技術(shù)以及半導(dǎo)體陶瓷及敏感元器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)等若干領(lǐng)域達(dá)到國(guó)際*水平。

　　（二）戰(zhàn)略目標(biāo)

　　面向信息技術(shù)等領(lǐng)域的迫切需求，進(jìn)一步加大電子陶瓷技術(shù)的研究開發(fā)及其產(chǎn)業(yè)升級(jí)的扶植力度，突破困擾該產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵技術(shù)，使我國(guó)在該領(lǐng)域的技術(shù)水平走進(jìn)世界前列。力爭(zhēng)在2025年大部分水平與美國(guó)、日本接近，2035年成為全球高端電子陶瓷材料和元器件的主要來(lái)源地。

　　（三）重點(diǎn)發(fā)展方向

　　1.新一代電子陶瓷元件與材料

　　重點(diǎn)突破量大面廣的無(wú)源電子元件，如MLCC、片式電感器、陶瓷濾波器的器件所需的高端電子陶瓷材料技術(shù)，發(fā)展出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的材料配方和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，形成穩(wěn)定的生產(chǎn)規(guī)模。重點(diǎn)突破高端電子陶瓷元件中材料精密成型和加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)和裝備，保證薄型化多層陶瓷技術(shù)所需的關(guān)鍵納米陶瓷材料的自主穩(wěn)定供應(yīng)，形成無(wú)源集成關(guān)鍵設(shè)備的自主研發(fā)和生產(chǎn)能力。

　　（1）高性能、低成本MLCC材料與元件。加強(qiáng)高性能抗還原陶瓷介質(zhì)粉體材料及規(guī)模化生產(chǎn)；重點(diǎn)研發(fā)薄型化功能陶瓷成型技術(shù)與裝備，納米晶陶瓷燒結(jié)技術(shù)，超薄型多層陶瓷結(jié)構(gòu)內(nèi)電*技術(shù)等。

　　（2）新型片式感性元件與關(guān)鍵材料。加強(qiáng)高性能低溫?zé)Y(jié)鐵氧體及低介低損耗陶瓷介質(zhì)粉體材料及規(guī)模化生產(chǎn)；研發(fā)多層陶瓷精密互聯(lián)技術(shù)及其裝備，小型化微波段片式電感器布線設(shè)計(jì)技術(shù)等。

　　（3）高性能多層片式敏感元件與材料。重點(diǎn)研究高性能片式熱敏、氣敏、濕敏、壓敏、光敏陶瓷規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，微納尺度多層片式敏感陶瓷傳感器制備工藝技術(shù)與表征技術(shù)等。

　　（4）高性能壓電陶瓷材料。重點(diǎn)研究壓電陶瓷材料凈尺寸成型與加工及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，壓電微型電源應(yīng)用的高性能多層壓電材料制備及產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，高性能多層無(wú)鉛壓電陶瓷材料和新型元件可工程化和產(chǎn)業(yè)化的先進(jìn)制備技術(shù)。

　　（5）新一代電磁波介質(zhì)陶瓷材料。面向5G/6G通信技術(shù)的新型電磁波介質(zhì)材料，重點(diǎn)研究片式高頻低損耗微波介質(zhì)陶瓷及其規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，片式高性能低成本復(fù)合電磁波介質(zhì)陶瓷及其基礎(chǔ)材料的規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)及裝備，人工片式電磁波介質(zhì)的設(shè)計(jì)、制備與規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)。

　　2.無(wú)源集成模塊及關(guān)鍵材料與技術(shù)

　　無(wú)源集成技術(shù)得以進(jìn)入實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化階段，很大程度上取決于LTCC技術(shù)的突破。目前，雖然開發(fā)出了一些各具優(yōu)勢(shì)的無(wú)源集成技術(shù)，但是主流技術(shù)仍以LTCC為主。一方面，優(yōu)化材料LTCC性能及制備方法，提高在國(guó)際高端應(yīng)用中的占比；另一方面，兼顧其他幾類無(wú)源集成技術(shù)，研究開發(fā)相應(yīng)的關(guān)鍵材料、關(guān)鍵技術(shù)和重要模塊。

　　（1）系列化LTCC用電磁介質(zhì)材料的研究。重點(diǎn)研究具有系列化介電常數(shù)和磁導(dǎo)率、滿足LTCC性能和工藝要求的陶瓷材料粉體和生產(chǎn)帶，形成我國(guó)在LTCC材料領(lǐng)域的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

　　（2）無(wú)源集成模塊的關(guān)鍵制備工藝研究。重點(diǎn)研究無(wú)源集成模塊制備的若干關(guān)鍵性工藝過(guò)程，如厚膜與薄膜制備工藝、微孔成孔與注漿工藝、精密導(dǎo)體漿料印刷工藝、陶瓷共燒工藝等。

　　（3）無(wú)源集成模塊設(shè)計(jì)與測(cè)試方法。研究?jī)?nèi)容包括無(wú)源集成模塊設(shè)計(jì)軟件的開發(fā)，新型無(wú)源集成結(jié)構(gòu)特性的模擬與仿真，高集成度無(wú)源集成模塊的設(shè)計(jì)，以及無(wú)源集成模塊的測(cè)試技術(shù)等。